Samsung Semiconductor - K4A4G165WE-BITD

KEY Part #: K7359585

[25904ks skladem]


    Číslo dílu:
    K4A4G165WE-BITD
    Výrobce:
    Samsung Semiconductor
    Detailní popis:
    4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: DDR3, GDDR5, MODULE, LPDDR4X, SLC Nand, HBM Flarebolt, DDR4 and LPDDR5 ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Samsung Semiconductor K4A4G165WE-BITD. K4A4G165WE-BITD může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na K4A4G165WE-BITD, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: info@key-components.com

    K4A4G165WE-BITD Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : K4A4G165WE-BITD
    Výrobce : Samsung Semiconductor
    Popis : 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
    Série : DDR4
    Hustota : 4 Gb
    Org. : 256M x 16
    Rychlost : 2666 Mbps
    Napětí : 1.2 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    Balík : 96FBGA
    Stav produkt : Mass Production

    Můžete se také zajímat
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.